BSZ110N06NS3GATMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | BSZ110N06NS3GATMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.89 |
10+ | $0.799 |
100+ | $0.6233 |
500+ | $0.5149 |
1000+ | $0.4065 |
2000+ | $0.3794 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 23µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TSDSON-8 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.1W (Ta), 50W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 30 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20A (Tc) |
Grundproduktnummer | BSZ110 |
BSZ110N06NS3GATMA1 Einzelheiten PDF [English] | BSZ110N06NS3GATMA1 PDF - EN.pdf |
OPTLMOS POWER-MOSFET
INFINEO PG-TSDS
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2024/06/6
2024/04/18
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2023/12/20
![]() BSZ110N06NS3GATMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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